Loading...
机构名称:
¥ 1.0

用薄金属膜制成的超电流晶体管是下一代高性能计算平台的一个有前途的选择。尽管进行了广泛的研究,但对于外部直流电场如何抑制薄膜中的超导性仍未完全定量显微镜解释。这项研究旨在根据Eliashberg的理论提供对超构度作为膜厚度的函数的定量描述。计算考虑了电场的静电,其在膜中的逼真的穿透深度以及对库珀对的影响,根据BCS理论,该电场对库珀对的影响被描述为标准的S波结合状态。估计表明,需要大约10 8 V/m的外部电场才能抑制10-30 nm厚的膜中的超导性,这与实验观测一致。最终,当将外部电场应用于膜表面时,该研究提供了“通过设计材料”指南来抑制超电流。此外,提出的框架很容易扩展,以研究超薄膜的相同效果。

arxiv:2502.08459v1 [cond-mat.supr-con] 2025年2月12日

arxiv:2502.08459v1 [cond-mat.supr-con] 2025年2月12日PDF文件第1页

arxiv:2502.08459v1 [cond-mat.supr-con] 2025年2月12日PDF文件第2页

arxiv:2502.08459v1 [cond-mat.supr-con] 2025年2月12日PDF文件第3页

arxiv:2502.08459v1 [cond-mat.supr-con] 2025年2月12日PDF文件第4页

arxiv:2502.08459v1 [cond-mat.supr-con] 2025年2月12日PDF文件第5页

相关文件推荐